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N溝道MOSFET
漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：47A
導(dǎo)通電阻(RDS(on))：8mΩ@10V,20A
閾值電壓(Vgs(th))：2.4V@250uA
柵極電荷(Qg)：29nC@4.5V
輸入電容(Ciss)：2.55nF@15V
反向傳輸電容(Crss)：12pF@15V
工作溫度范圍：-55℃~+150℃@(Tj)
封裝：DFN5x6-8
產(chǎn)品名稱：中壓MOS管
型號(hào)：SL60N10Q
概述：
SL60N10Q 是一款 N 溝道 MOSFET，工作電壓為100V，可承受*大漏電流47A，導(dǎo)通電阻(RDS(on))低至8mΩ@10V,20A。該器件的輸入電容(Ciss)為2.55nF，反向傳輸電容(Crss)為12pF，柵極電荷(Qg)為29nC。此外，它還具有*的溫度特性，在-55℃~+150℃的溫度范圍內(nèi)均可正常工作。
特性：
- N溝道MOSFET
- 漏源電壓：100V
- 連續(xù)漏極電流：47A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(on))：8mΩ@10V,20A
- 閾值電壓(Vgs(th))：2.4V@250uA
- 柵極電荷(Qg)：29nC@4.5V
- 輸入電容(Ciss)：2.55nF@15V
- 反向傳輸電容(Crss)：12pF@15V
- 工作溫度范圍：-55℃~+150℃@(Tj)
- 封裝：DFN5x6-8
應(yīng)用：
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、照明等領(lǐng)域中。
注意事項(xiàng)：
1. 在使用之前，請(qǐng)仔細(xì)閱讀產(chǎn)品手冊(cè)中的使用說(shuō)明和警告內(nèi)容。
2. 請(qǐng)保持器件清潔，避免污染和靜電損傷。
3. 請(qǐng)注意器件的*大電壓和*大電流，不要超過(guò)其額定值。
4. 請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用，避免過(guò)熱或過(guò)冷的環(huán)境。
5. 請(qǐng)避免震動(dòng)、振動(dòng)和機(jī)械沖擊，以免影響器件的性能和壽命。
關(guān)于薩科微 Slkor：
薩科微 Slkor是一家致力于提供高品質(zhì)、高性能半導(dǎo)體器件的制造商，擁有先進(jìn)的技術(shù)和嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系，為客戶的設(shè)計(jì)提供*佳的解決方案和支持。
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|
| SL60N10Q.pdf | SL60N10Q | - |
支持
如果您需要設(shè)計(jì)/技術(shù)支持，請(qǐng)告知我們并填寫 應(yīng)答表 我們會(huì)盡快回復(fù)您。
Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-60V 連續(xù)漏極電流(Id):-30A 功率(Pd):50W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-100V 連續(xù)漏極電流(Id):-20A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封裝：TO-220
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):5A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封裝：SOP-8
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):200V 連續(xù)漏極電流(Id):18A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續(xù)漏極電流(Id):33A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封裝：TO-263
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續(xù)漏極電流(Id):2A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封裝：SOT-23
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：50V 連續(xù)漏極電流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):240V 連續(xù)漏極電流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
